Molekulární paprsková epitaxe neboli MBE je nová technika pro pěstování vysoce kvalitních tenkých vrstev krystalů na krystalových substrátech. V podmínkách ultravysokého vakua je ohřívací kamna vybavena všemi druhy požadovaných komponentů a generuje páru skrz otvory vytvořené po kolimaci paprsků atomového nebo molekulárního paprsku, přímé vstřikování na příslušnou teplotu monokrystalického substrátu, řízení při současném skenování substrátu může vytvořit molekuly nebo atomy ve vrstvách krystalu, aby vytvořily tenký film na substrátu „růst“.

Pro normální provoz zařízení MBE je nutné nepřetržitě a stabilně přepravovat vysokou čistotu, nízký tlak a ultračistý kapalný dusík do chladicí komory zařízení. Obecně platí, že nádrž, která poskytuje kapalný dusík, má výstupní tlak mezi 0,3 MPa a 0,8 MPa. Kapalný dusík při -196 ° C se během přepravy potrubím snadno odpaří na dusík. Jakmile se v potrubí zplyní kapalný dusík s poměrem plyn-kapalina přibližně 1: 700, obsadí velké množství prostoru pro průtok kapalného dusíku a sníží normální průtok na konci potrubí s kapalným dusíkem. Kromě toho ve skladovací nádrži na kapalný dusík pravděpodobně budou nečistoty, které nebyly vyčištěny. V potrubí kapalného dusíku bude existence mokrého vzduchu také vést ke tvorbě ledové strusky. Pokud se tyto nečistoty vypustí do zařízení, způsobí to nepředvídatelné poškození zařízení.

Proto je kapalný dusík ve venkovní skladovací nádrži přepravován do zařízení MBE v bezprašné dílně s vysokou účinností, stabilitou a čistotou a nízký tlak, žádný dusík, žádné nečistoty, nepřetržitý 24 hodin, takový systém řízení dopravy je kvalifikovaný produkt.